ROHM Semiconductor / SCT2120AFC
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SCT2120AFC
| Número de pieza del fabricante: | SCT2120AFC |
| Fabricante: | ROHM Semiconductor |
| Parte de la descripción: | SICFET N-CH 650V 29A TO220AB |
| Hojas de datos: | SCT2120AFC Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Tube |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 29A (Tc) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 18V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 10A, 18V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 4V @ 3.3mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 18 V |
| Vgs (máx.) | +22V, -6V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 500 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 165W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete / Estuche | TO-220-3 |
Estado del inventario: 1689
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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Cálculo de fletes
US $ 40 por FedEx.
Llegue en 3-5 días
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado
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