Vishay / Siliconix / SIRA12BDP-T1-GE3
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SIRA12BDP-T1-GE3
| Número de pieza del fabricante: | SIRA12BDP-T1-GE3 |
| Fabricante: | Vishay / Siliconix |
| Parte de la descripción: | MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8 |
| Hojas de datos: | SIRA12BDP-T1-GE3 Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27A (Ta), 60A (Tc) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | +20V, -16V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1470 pF @ 15 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 5W (Ta), 38W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
| Paquete / Estuche | PowerPAK® SO-8 |
Estado del inventario: 2422
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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Cálculo de fletes
US $ 40 por FedEx.
Llegue en 3-5 días
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado
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