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Número de pieza del fabricante: | IRLU3802PBF |
Fabricante: | Rochester Electronics |
Parte de la descripción: | HEXFET POWER MOSFET |
Hojas de datos: | IRLU3802PBF Hojas de datos |
Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Condición de stock: | En stock |
Nave de: | Hong Kong |
Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Escribe | Descripción |
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Serie | HEXFET® |
Paquete | Bulk |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 12 V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 84A (Tc) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 2.8V, 4.5V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Máx.) @ Id | 1.9V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 5 V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2.49 pF @ 6 V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 88W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor | I-PAK |
Paquete / Estuche | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Estado del inventario: 7178
Mínimo: 1
Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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