XPH2R106NC,L1XHQ

Número de pieza del fabricante:	XPH2R106NC,L1XHQ
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVACIÓN: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.

Todos los componentes de Eelctronics se empaquetarán de forma muy segura gracias a la protección antiestática ESD.

package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	110A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	104 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6900 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Estuche	8-PowerVDFN

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 9832

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
El precio no está disponible, por favor RFQ

Cálculo de fletes

US $ 40 por FedEx.

Llegue en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado

Modelos populares

	XPH2R106NC,L1XHQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Este artículo ha sido añadido a su carrito.