IRFD9110

Número de pieza del fabricante:	IRFD9110
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Hojas de datos:	IRFD9110 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	700mA (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 420mA, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Estuche	4-DIP (0.300", 7.62mm)

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 18018

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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