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IR (Infineon Technologies) / IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Número de pieza del fabricante: IPB60R120C7ATMA1
Fabricante: IR (Infineon Technologies)
Parte de la descripción: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3
Hojas de datos: IPB60R120C7ATMA1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
SerieCoolMOS™ C7
PaqueteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la piezaActive
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)650 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C19A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs120mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id4V @ 390µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 400 V
Característica FET-
Disipación de energía (máx.)92W (Tc)
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TO263-3
Paquete / EstucheTO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 922

Mínimo: 1

Cantidad Precio unitario Ext. Precio

El precio no está disponible, por favor RFQ

Cálculo de fletes

US $ 40 por FedEx.

Llegue en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado

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