SSM6N951L,EFF

Número de pieza del fabricante:	SSM6N951L,EFF
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET	Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	5.1mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potencia - Max	-
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	6-SMD, No Lead
Paquete de dispositivo del proveedor	6-TCSPA (2.14x1.67)

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 9950

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

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