BSM180D12P3C007

Número de pieza del fabricante:	BSM180D12P3C007
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	SIC POWER MODULE
Hojas de datos:	BSM180D12P3C007 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVACIÓN: ROHM Semiconductor # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.

Todos los componentes de Eelctronics se empaquetarán de forma muy segura gracias a la protección antiestática ESD.

package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Silicon Carbide (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	180A (Tc)
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Máx.) @ Id	5.6V @ 50mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
Potencia - Max	880W
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Estuche	Module
Paquete de dispositivo del proveedor	Module

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 11

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
El precio no está disponible, por favor RFQ

Cálculo de fletes

US $ 40 por FedEx.

Llegue en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado

Modelos populares

Este artículo ha sido añadido a su carrito.